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초전도현상에 대한 연구가 진전되면서 이를 활용한 컴퓨터개발에 관심이 집중되고 있다.

초전도현상은 일정온도 이하에서 전기저항이 완전히 제로가 되는 것. 컴퓨터는 보다 많은 회로를 작은 칩 속에 집적시켜야 성능이 높아진다.

그런데 많은 회로를 좁은 공간에 집적시키다 보면 전기 저항으로 열이 발생해 집적도에 한계가 생긴다. 실제로 1970년대 말까지 실리콘의 집적도는 매년 2배씩 증가했으나 그 이후는 집적도 증가속도가 2분의 1로 떨어졌다.

컴퓨터전문가에 따르면 대형 메인프레임의 10% 정도가 컴퓨터의 냉각에 필요한 공조시스팀 유지에 들어간다는 것. 따라서 전기저항에 의한 열이 발생치 않는 초전도체는 실리콘보다도 상대적으로 집적도가 높은 회로를 만들 수 있게 해준다.

현재는 실리콘칩을 바로 초전도체로 대체하지는 못하지만 칩 연결부분등 일부 부분에 초전도 물질을 이용하는 것으로 시작하고 있다. 그다음 단계로는 실리콘 트랜지스터간의 온칩(On Chip)연결에 높은 전류밀도를 가진 세라믹으로 된 초전도 박막을 사용하는 것. 온칩연결은 87년 3월 IBM에서 세라믹초전도체로 간단한 소자를 제조하는데 성공함으로써 그 가능성이 높아졌다.

완전 초전도 컴퓨터개발의 마지막 단계는 능동소자와 연결선이 모두 초전도체로 된 집적회로를 만드는 것이다. 여기에는 조셉슨설계가 이용될 것이다.

전문가들의 예상으로는 초전도 컴퓨터가 개발될 수 있는 기술발전은 앞으로 10년 이내에 이루어지기 어렵다고 예상하지만, 고온 초전도물질의 개발이 급속히 발전하는 추세를 감안하면 이 기간은 의외로 단축될 수 있다는 조심스러운 견해도 대두되고 있다.

현재 컴퓨터 제조 메이커 중 초전도연구에 열을 올리고 있는 곳은 IBM. 60년대 중반부터 조셉슨소자를 기본으로 해 컴퓨터 개발연구를 시작한 IBM은 최근 고온 초전도체개발로 새로운 컴퓨터소자 개발에 급피치를 올리고 있다.

'휴렛팩커드(HP)' 사도초전도 컴퓨터개발에 대한 자료를 조사하고 있는 것으로 알려졌다.