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현대전자는 최근 64MD램 엔지니어링 샘플을 개발했다고 발표했다. 64MD램은 국내 반도체 3사 및 세계 유수의 반도체사에서 지난 92년부터 시제품이 개발되기 시작한 차세대 기억소자. 엄지손톱만한 크기의 반도체 칩속에 1억4천만개의 트랜지스터와 캐퍼시티가 동작해 신문지 5백12쪽(한글 4백만자)에 해당하는 기억용량을 가진다.

현대전자가 발표한 이 샘플은 3-36V 전 범위 전압에서의 모든 테스트 패턴에 작동하는 제품으로, 35ns의 처리속도를 보이며 5백 밀(mill, 1천분의 1인치) 크기의 J리드 타입 소형패키지 등에 탑재가 가능하다. 칩 면적 2백10㎟인 이 샘플은 3.3V의 저전압과 60mA 전류의 소비전력을 가진 초절전형으로, 자동재충전 기능 등 다양한 특성을 구비하고 있다.

현대전자는 메모리셀 개발을 위해 자사의 고유 기술을 적용, 0.35미크론의 초미세 가공장비인 I라인 스테퍼를 근간으로 한 공정기술을 개발 채택해 제품의 양산성을 높였다.

현대전자가 92년 하반기에 신제품을 발표하고 이번에 엔지니어링 샘플을 개발한 64MD램은 세계 반도체 기억소자 분야의 첨단 제품으로 메인프레임이나 워크스테이션같은 대용량컴퓨터와 고화질 TV 등에 사용되는 핵심부품으로 향후 반도체 시장을 주도할 것으로 전문가들은 분석하고 있다.

현대전자는 내년중으로 이 샘플을 상용제품으로 개발해 95년부터 본격 형성될 64MD램 시장에 대비할 계획이다.