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초고속 256KS램 개발

-속도 16나노초, 삼성반도체통신에서

삼성반도체통신은 최근 자체 기술로 최첨단 반도체인 초고속 2백56KS을 개발, 시제품 생산에 들어갔다.

2백56KS램은 1MD램과 같은 수준의 기술을 요하는 메모리반도체로서, 이번에 개발된 제품은 속도 16나노(10억분의 1)초의 초고속 반도체라는데 더욱 의미가 있다. 현재 S램 시장의 주류를 이루고 있는 슬로우S램은 1백~1백20나노초에 불과하다. 소비전력면에서도 FAST S램에 비해 5분의 1 정도인 C-MOS제품.

초고속 2백56KS램을 개발 판매하고 있는 나라는 일본의 히다치, 미국의 모토롤러 등 몇개사에 지나지 않는다. 초고속 S램은 D램에 비해 구조적으로 훨씬 복잡한 설계 및 제조기술이 요구되기 때문.

초고속 2백56KS램은 이제 막 세계시장에 공급되는 제품으로서 세계시장규모는 88년 4.6억달러에서 오는 90년에는 6억달러로 성장할 것으로 예상되고 있다.
 

초고속 256KS램 개발

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1988년 09월 과학동아 정보

  • 동아일보사 편집부

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