갈륨비소 반도체를 한층 더 발전시켜 처리속도를 비약적으로 빠르게 한 트랜지스터가 HEMT. 1980년 일본의 후지츠연구소가 세계 최초로 개발해냈다. 원리는 갈륨비소와 알루미늄갈륨비소를 겹쳐 놓으면 그 접촉면에서 전자가 대단히 빠른 속도로 이동하는 성질을 이용한 것이다. 전자의 이동속도는 상온에서 갈륨비소 반도체의 2∼3배, 액체질소 등에 의해 초저온으로 냉각하면 50배나 빨라진다.
이 때문에 HEMT는 차세대 컴퓨터의 연산처리기능을 담당할 것으로 기대되고 있다. 단지 아직까지 집적도가 낮고 실용화에는 이르지 못하고 있다. 그러나 또 하나의 차세대 소자인 조셉슨소자보다는 빨리 개발된 것으로 보인다.
컴퓨터 이외에도 HEMT는 여러 응용분야를 갖고 있다. 먼저 HEMT에는 잡음을 줄이고 전류를 증폭하는 특성이 있다. 고도 정보화 사회를 맞이하여 증폭기의 소형화와 고성능화가 추구되고 있는 마당에서 HEMT의 이런 기능은 당연히 큰 주목을 받을 만하다.
한편 HEMT는 전파망원경에도 쓰여 학술적으로 공헌하고 있다. HEMT를 이용하면 우주에서 오는 미약한 신호를 40배로 증폭할 수 있기 때문이다.
