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50나노급 차세대 반도체를 위한 기초 기술이 국내에서 개발됐다.

포항공대 화학과 이문호 교수팀은 반도체 선폭을 머리카락 2000분의 1 굵기인 50나노미터(nm) 이하로 줄일 수 있는 나노 신소재를 제조하는 데 성공했다. 이 연구는 과학 학술지 ‘네이처 머티어리얼스’ 최신호에 실렸다.

컴퓨터의 저장용량과 처리속도를 향상시키려면 반도체 선폭을 최대한 줄이는 것이 관건이다. 현재 세계 반도체 업계는 50nm 실현에 도전하고 있다. 이 교수는 “선폭을 줄일수록 선끼리 전기적 간섭을 일으켜 반도체 기능이 떨어진다”며 “이 간섭을 줄이려면 유전율이 2 이하인 절연재료가 필요하다”고 말했다. 유전율은 전기가 통하는 정도다.

연구팀은 공 모양의 나노 신소재(덴드리머)를 이용해 지름 3nm인 공기 구멍이 균일하게 나 있는 박막을 만들어 유전율 1.6을 실현했다. 이 교수는 “이 유전박막은 안정성과 가공성이 뛰어나 50나노급 이하 차세대 반도체 생산을 가능하게 할 것”이라고 밝혔다.