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일본통산성공업기술원 광반응재(光反應材)연마개발 그룹은 지금까지의 광메모리의 한계를 1백배나 윗도는 초고밀도 광메모리 개발로 이어지는 신호를 찾아내는데 성공했다.
 

이것은 광화학 홀 버닝(hole burning)이라는 현상(PHB)을 이용한 것으로 세계 최고수준의 기록이다.
 

PHB는 절대온도 영도(-273℃)에 가까운 극저온 상태에서 분자에 레이저광을 조사(照射)하면 조사된 부분만이 광화학반응을 일으켜 광흡수도가 줄어드는 현상을 말한다. 흡수 스펙트럼의 배열에서 보면 바로 그 부분만이 구멍을 뚫은 것같이 되므로 홀 버닝이라 이름을 붙였다.
 

이 실험의 광 메모리에는 특수 고분자 속에 색소분자를 섞은 시료를 썼다. 마치 우무에 팥알을 섞은 것같은 모양이다. 이것을 액체 헬륨으로 냉각시켜 색소레이저의 파장을 바꾸면서 쪼여 스포트식으로 기록한 것이다.
 

그 결과 10나노미터(10 X ${10}^{-9}$m)라는 짧은 변화 동안에 1백개 이상의 홀을 형성하는데 성공했다.
 

이 홀이 있고 없는 것이 메모리의 온 오프와 같다.
 

시료를 1μ폭의 레일상이나 1μ단위의 스포트상에 집어 넣을 수가 있으면 1cm²당 1백비트의 초 고밀도 메모리가 가능해 진다. 이 기록밀도는 신문 4페이지분이 머리카락 단면 면적 정도에 수용되며 플로피 디스크 1만장이 1장에 들어가 버린다.