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국내 연구진이 옷감 형태의 메모리소자를 개발하는 데 성공했다. 향후 입는(웨어러블) 전자기기를 만드는 데 활용할 수 있을 전망이다. 이미정 국민대 신소재공학부 교수팀과 황철성 서울대 재료공학부 교수팀은 차세대 전자메모리로 주목받는 저항변화메모리 소자를 직물형으로 구현하는 데 성공하고 연구 결과를 ‘어드밴스드 펑셔널 머티리얼스’ 2월 28일자에 발표했다.

저항변화메모리는 재료가 절연체에서 전도체로 변하는 현상을 이용해 0과 1의 정보를 디지털 신호로 저장하는 장치다. 기존 소자는 도체 사이에 절연체를 샌드위치처럼 넣어서 3층 구조로 만들었는데, 연구팀은 알루미늄과 탄소섬유로 직물 형태의 소자를 만들 수 있었다. 실을 알루미늄으로 코팅한 뒤 탄소섬유에 접촉시키면 접촉면에서 산화환원반응이 반복적으로 일어나면서 저항변화가 나타났다. 연구팀은 베틀로 이 소자를 옷감 형태로 짜서 구기고, 뒤틀고, 세탁하는 등 다양한 방법으로 자극을 줬다. 하지만 소자는 안정적으로 작동했다. 이 교수는 “섬유 산업에서 사용하던 장비들을 그대로 활용해 넒은 면적으로 대량생산 할 수 있다”고 말했다.