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최근 미국 샌프란시스코에서 열린 국제전자디바이스회의(IEDM)에서 IBM일본전기(NEC) 히타치 후지쓰 등 미국과 일본 반도체메이커들은 각기 차세대 반도체기술이라 불릴만한 새로운 기술들을 발표했다. 이에 따라 차세대 반도체의 주도권을 놓고 이를 4사의 기술개발 경쟁이 앞으로 더욱 치열해질 것으로 보인다.

IBM은 실리콘반도체에 비해 약 3배의 처리속도를 지닌 C모스(MOS)형 트랜지스터를 개발했다. SOI라 불리는 절연체 위에 실리콘을 성장시켜 전력소모를 줄이고 속도를 빠르게 한 것. 신형 트랜지스터는 스위칭속도가 33피코초(1피코초=${10}^{-12}$초).

일본전기는 새로운 구조의 실리콘 바이폴라트랜지스터를 선보였다. 화합물반도체가 아니면 실현곤란한 피코초 수준의 속도를 고집적이 용이한 실리콘으로 실현한데 큰 의미가 있다. 이를 이용한 슈퍼컴퓨터 광통신용칩 등이 3년이내에 제품화될 예정이다.

히타치는 광기술을 이용해 16메가 S램용 메모리셀을 개발했다. 시제품의 크기는 9.5평방미크론(μ)으로 이제까지 세계적으로 개발된 반도체 가운데 가장 작다. 종래의 4메가 S램보다 크기는 3분의 1, 소비전력은 절반 수준이다.

후지쓰는 지난해 발표한 64메가D램을 보다 향상시켜 다시 발표했다. 약간 레이아웃을 달리하고 레이저기술을 사용해, 제조기술면에서 양산시기를 앞당겼다는데 의미가 있다.