연내에 IMD램의 개발이 확실시되는 국내 반도체 산업은 선진국(미국,일본)을 3~5년의 시차를 두고 뒤쫓고 있다.
미국 일본은 반도체 양대산맥
반도체는 플라스틱과 더불어 1900년대에 있어 아마도 우리생활에 가장 큰 변혁을 가져다준 몇가지 물질 중의 하나일 것이다. 금세기 최대의 발명이라고 할 수 있는 트랜지스터가 1948년 반도체를 출발물질로 하여 발명되고 뒤이어 1959년 TI(Texas Instruments)사가IC(집적회로)의 특허를 출원한 이후 반도체기술과 산업은 이들을 중심으로 급속한 발전을 거듭하고 있다.
그간 GaAs(칼륨 비소 화합물)와 같은 화합물 반도체의 연구와 이용도 계속되고 있기는 하지만 오늘날의 반도체산업은 실리콘(Si,규소)를 주축으로 하는 원소반도체가 트랜지스터등의 개별(個別)반도체 전자소자와 IC(소자)에 폭넓게 쓰이므로 반도체산업과 기술은 실리콘 산업과 기술이라고도 볼 수 있을 정도이다. 즉 실리콘은 기계공업에서의 철강과같은 위치에 있다고 할 수 있다. 이와같은 동향은 앞으로도 상당기간 계속될 것이다.
이상과 같은 반도체산업이 처음 국내에서 시작된 것은 1965년이며 그것은 개별 반도체전자소자의 조립가공이었다. 즉 트랜지스터나 다이오드 형태로 가공된 실리콘 박판(웨이퍼wafer)를 도입하여 도선을 용착하고 용기에 실장(즉 패키지)하는 이 기술은 전통적 기계조립기술을 크게 벗어나지 못하는 노동집약적인 것으로서 성장기를 지난 사양기술이라 할 수 있다.
개별 반도체소자에 대한 기술은 이제 국내에서 토착된 것으로 볼 수 있으며 이 분야에서는 독자전인 개발능력이 있다고 하겠다.
일본이 최초의 IC를 발표한 것은 1961년이었으나 60년대의 일본의 IC기술은 미국에 대한 의존도가 큰것이었다. 70년대 중반까지는 반도체IC의 웨이퍼가공기술이 국내에 성공적으로 도입돼 손목시계용 반도체IC를 생산하기 시작한 것은 75년이다. 즉 LSI(고밀도집적회로)기술이 도입된 것이다.80년대에 접어들면 국내의 반도체IC기술개발은 적어도 표면적으로는 70년대 중반의 일본상태와 유사하다. 선진국 기술의존 상태에서 도입기술의 소화와 제품개발에 노력을 기울이고 있는 것이다. 그 결과 국내의 LSI시대를 선진국들보다 크게 단축시켜 84년에 64KD램의 제품개발을 하였고 85년에는 이보다 한단계 높은 256KD램의 양산체제가 이루어졌다. 일부 업체에서는 금년내로 IMD램을 국내개발할 태세에 있다.
일본은 IMD램을 83년에 개발, 금년에는 이들을 양산할 전망이며 한층높은 기술수준의 4MD램을 85년에 발표한 바 있다.결국 우리는 선진국(미국,일본)과 3~5년의 시차를 두고 뒤쫓고 있는 것이다.
원천기술은 아직 LSI단계
그러나 이와 같은 급진적인 개발이 곧 기술수준의 발전을 의미한다고는 할 수 없을 것이다. 즉 반도체IC개발의 원천이되는 회로설계나 마스크기술에 있어서는 LSI수준을 넘지 못하고 있다. 반도체IC웨이퍼의 가공과 조립공정에서 가장 빠른 성취가 이루어지고 있는데 이 가공조립공정 개발에 대하여는 반도체IC개발 초기보다는 공정장비에의 의존도가 훨씬 높아졌고 또 이를 장치의 자동화율이 크게 증대되어 조작기술이 단순화되어졌다는 점을 유의하여야 할 것이다.즉 심도높은 기반기술 없이도 상당한 성과를 얻을 수 있는 것이다. 이와같은 심도가 부족한 기반기술때문에IC생산의 관건인 수율(yield)이 비교적 낮은 것도(50%정도) 제품의 신뢰성이 선진국 수준에 못 미치는 것과 더불어 해결이 요구되는 점이라 하겠다.
또 하나는 반도체IC와 관련된 소재와 주변산업기술이 크게 뒤지고 있어 이부분을 전적으로 선진국기술과 도입자재에 의존하고 있다. 이것이 계속적인 기술적 예속관계에서 벗어나지 못하는 또하나의 요인이 되고 있는 것이다.
국내 반도체기술은 제품개발에서는 큰 성과를 올리며 충분한 소화능력을 과시하고 있으나 그의 심화를 위한 기반기술개발 노력이 필요하며 관련 주변기술에 대한 심도있는 계속적인 연구개발 노력이 크게 요구되고 있는 것이다.
