d라이브러리: 미래세대의 과학지식 플랫폼

잡지 기사(10)

초고속 미래소자 HEMT
과학동아 | 1987년 10호
일본 후지츠연구소가 개발한 갈륨비소 기반의 HEMT 트랜지스터는 갈륨비소와 알루미늄갈륨비소의 접촉면에서 전자가 매우 빠르게 이동하는 것을 이용해 높은 처리속도를 구...
미래의 반도체
과학동아 | 1987년 10호
실리콘의 대안으로 3차원 회로소자와 갈륨비소 반도체가 주목받고 있다. 3차원 회로소자는 SOI 기술로 단결정 생성 문제를 해결했으며, 갈륨비소는 전자의 이동속도가 빨라...
다시 주목받는 갈륨비소반도체
과학동아 | 1990년 12호
미국 슈퍼컴퓨터에 일본산 갈륨비소반도체가 채택되면서 새로운 기대주로 떠올랐다. 실리콘에 비해 전자속도가 빠르고 방사능에 강해 군사 및 우주개발에 유리하며, 집적도...
실리콘은 사라지는가 광전자(光電子)시대의 반도체소자
과학동아 | 1987년 05호
실리콘 칩의 집적도가 극한에 도달함에 따라 갈륨비소 같은 화합물 반도체에 대한 관심이 높아졌다. 갈륨비소는 전자 속도가 빠르고, 빛을 이용한 반도체소자와 접합층 구...
[과학뉴스] 밤에도 ‘열일’하는 태양전지 개발되나
과학동아 | 2018년 10호
연구팀은 인듐갈륨비소(InGaAs) 기반의 압전효과를 활용해 낮은 상용 태양전지와 비슷한 효율을 유지하면서 밤에도 전기를 생산할 수 있는 얇고 가벼운 태양전지용 반도체...
갈륨비로반도체 양산단계
과학동아 | 1989년 10호
삼성전자가 고속 정보 처리가 가능하고, 전기를 빛으로 바꾸는 갈륨비소(GaAs) 기반 레이저다이오드를 개발, 월 20만 개 생산에 들어갔다. 갈륨비소반도체는 실리콘 대비 ...
초고속 컴퓨터칩 개발
과학동아 | 1987년 04호
IBM 연구팀이 백과사전 40권을 매초 읽는 속도의 초고속 컴퓨터칩을 개발했다. 이 칩은 갈륨비소를 사용해 광신호를 전기신호로 빠르게 변환, 미래 광통신에 적합하다.
갈륨비소반도체 공장 국내에 착공
과학동아 | 1988년 02호
한일그룹이 경기도 시흥 소래에 갈륨비소반도체 공장을 착공하여, 9월부터 LED 및 광통신 부품 등을 생산할 예정이다. 생산 규모는 연차적으로 증가할 목표이며, 갈륨비소...
광통신용갈륨비소 IC 실현
과학동아 | 1987년 05호
도시바가 갈륨비소 IC를 이용해 초당 2기가비트 처리가 가능한 광통신용 다중변환기를 개발, 2~3년 내 상품화 목표. NTT는 1.6기가비트 규격으로 실험 중이며, 유럽은 2.4...
세계 초고속 반도체소자 개발
과학동아 | 1987년 09호
일본전신전화(NTT)가 상온에서 작동하는 세계 최고 속도 반도체소자 개발에 성공했다. 이 소자는 1게이트 전파지연시간이 5.5피코초이며, 조셉슨소자의 속도에 근접한다. ...