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일본전신전화(NTT)가 상온에서 작동하는 세계 최고 속도 반도체소자 개발에 성공했다. 이 소자는 1게이트 전파지연시간이 5.5피코초이며, 조셉슨소자의 속도에 근접한다. 갈륨비소기반 헤테로접합 바이폴라형 트랜지스터로, NTT는 이를 이용한 초고속 IC개발에 주력하고 있다...

실리콘 칩의 집적도가 극한에 도달함에 따라 갈륨비소 같은 화합물 반도체에 대한 관심이 높아졌다. 갈륨비소는 전자 속도가 빠르고, 빛을 이용한 반도체소자와 접합층 구조의 이점 등을 갖지만, 여전히 실리콘보다 가격과 적합한 산화막 부재로 인한 문제점을 가진다. 하지만 광전자공학

국내 연구진이 세계 최초로 탄소나노튜브의 반도체소자 초고집적 배열 기술을 개발했다. 기존의 주먹구구식 제어 한계를 극복하고 산화알루미늄 기판에서 수직 성장 방식으로 집적도를 획기적으로 높였다. 해당 기술은 향후 실용화될 전망이다.