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한국전자통신연구소와 국내 반도체 3사는 공동으로 4메가D램을 개발, 미국 일본과의 격차를 1년내로 줄였다.

최첨단 반도체인 4MD램이 국내 기술진에 의해 개발되었다. 4MD램은 손톱만한 크기의 칩안에 알파벳 51만2천자(신문 32페이지 분량)를 기억시킬 수 있는 메모리반도체. 이는 일본의 '도시바' '히다치' 미국의 '텍사스인스트루먼트' 사 등 7~8개 업체에서만 개발에 성공한 제품으로 일본 미국 등에서도 상품화를 서두르고 있는 최첨단 반도체이다.

4MD램 개발사업은 반도체업계 공동으로 결성한 반도체연구조합을 중심으로 86년 10월에 착수, 1년 4개월만에 성공했다. 즉 이제까지의 반도체 개발방식과는 다르게 삼성반도체통신 금성반도체 현대전자와 정부출연연구소인 한국전자통신연구소가 공동으로 회로선폭 0.8μ(1μ=0.001mm)이 초미세 가공기술을 이용, 설계 및 공정기술을 개발해 낸 것이다.

반도체는 메모리IC, 컴퓨터의 중앙처리장치를 하나의 칩에 집적시켜논 마이크로프로세서, 로직(Logic)IC, 산업분야에 쓰이는 리니어IC, 통신용IC, 특수한 용도로 사용자의 주문에 의해 만드는 ASIC(Application Specific IC)등이 있다. 이중에서도 미국 일본 등이 계속 집적도를 향상시켜가면서 개발경쟁을 벌이고 있는 분야는 메모리반도체. 이 분야에도 램(RAM)과 롬(ROM)이 있고 램에는 D(Dynamic)램과 S(Static)램이 있지만, D랩이 가장 시장수요가 많아 개발기술의 수준을 타나타는데 기준이 된다.

우리나라가 VLSI(초대규모집적회로)시대로 접어든 것은 지난 83년도 삼성반도체통신이 64K(64x10³)D램을 개발하면서 부터이다. 이는 일본이 세계 최초로 64KD램을 생산한 연도가 77년이므로 우리와는 약 6년의 격차가 났다고 할 수 있다. 그러나 삼성이 84년에 2백56KD램을 개발, 미·일과의 격차를 4년차로 줄였고 86년에는 삼성 금성이 1M(1x${10}^{6}$)램을 개발, 1~2년차로 바싹 뒤쫓고 있었던 것. 이번에 4MD램의 개발 성공에, 계획한 바대로 내년부터 양산에 들어가면 이들과의 격차는 1년내로 줄어든다고 할 수 있다.

현재 세계 반도체 시장규모(D램부분)는 작년까지만 해도 2백56KD램이 주도했으나, 올해부터는 1MD램이 시장주도권을 확보할 예정이다(표참조). 현재 1M램 세계시장은 일본기업들이 주도하고 있는 실정(80~90%정도). 그러나 1MD램의 라이프사이클은 2백56KD램보다 훨씬 짧을 것으로 전문가들은 예상한다. 즉 1MD램이 양산체제를 갖추기도 전에 4MD램, 16MD램이 개발돼 상품화가 추진되기 때문이다. 표에 나타난 바와 같이 91년에는 4MD램이 1MD램을 시장규모에서 추월하고 있다.

작년에는 일본의 NTT가 16MD램을 개발했다고 발표, 세계의 반도체업계를 긴장시켰고, 현재 일본의 기업들은 64MD램 개발에까지 착수하고 있는 것으로 알려졌다.

반도체 개발경쟁은 누가 먼저 개발했느냐는 것보다 체계적인 양산체제를 누가 먼저 갖추었느냐는 것이 더욱 중요한 기준이 된다. 올해는 1MD램의 양산체제를 통해 19억달러의 시장을 놓고 각국의 경쟁이 치열할 것으로 예상된다. 현재 우리나라는 올해 1MD램의 양산체제를 갖추고 일본 미국 등을 바싹 뒤쫓고 있는 상황이다.

우리가 비록 4MD램을 개발해 이분야서 세계 3위권이라고는 하나 앞으로 지속적인 연구개발이 뒤따르지 않는 이상, 일본 미국의 기술수준에 근접하기는 어렵다는 것이 전문가들의 예상이다. 제조기술을 확보하고 양산체제를 갖추어 수율(yield)을 선진국 수준으로 올리는 것이 쉽지 않기 때문이다. 국내 업계에서는 내년 3월까지 양산기술을 갖출 예정이다.