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초고속 미래소자 HEMT

HEMT의 구조HEMT의 구조

갈륨비소 반도체를 한층 더 발전시켜 처리속도를 비약적으로 빠르게 한 트랜지스터가 HEMT. 1980년 일본의 후지츠연구소가 세계 최초로 개발해냈다. 원리는 갈륨비소와 알루미늄갈륨비소를 겹쳐 놓으면 그 접촉면에서 전자가 대단히 빠른 속도로 이동하는 성질을 이용한 것이다. 전자의 이동속도는 상온에서 갈륨비소 반도체의 2∼3배, 액체질소 등에 의해 초저온...(계속)


과학동아 1987년 10호

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