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미래의 반도체

갈륨비소 LSI^세계 최고속의 LSI. 3.75㎜각칩위에 5천개의 트랜지스터 집적. 회로 선폭μ갈륨비소 LSI^세계 최고속의 LSI. 3.75㎜각칩위에 5천개의 트랜지스터 집적. 회로 선폭μ

현재의 실리콘 반도체가 갖는 극한을 넘어서기 위해서 전혀 새로운 개념의 소자 집적기술이나 실리콘을 대신한 다른 반도체를 채용하는 시도가 이루어지고 있다·□ 3차원 회로소자좁은 땅에 빽빽히 집을 지으려는 노력에서 벗어나 고층 아파트를 짓는다는 발상의 전환. VLSI의 한계를 돌파하기 위한 구상으로 각광을 받고 있다. 종래보다 용량이 커지고 소자간...(계속)


과학동아 1987년 10호

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